在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)(Produce)的光刻曝光（exposure)工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅(silicon)片的熱膨脹(inflate)系數(shù)的差要求越來(lái)越小。直徑100um的硅片，溫度（temperature)上升1度，就引起了0。24um線性膨脹(inflate)，所以必須有±0。1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院?，?duì)產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉(Sodium)的半導(dǎo)體(semiconductor)車(chē)間，這種車(chē)間不宜超過(guò)25度。濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻(cooling)水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密(precise)裝置或電路中，就會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)易生銹。
然而對(duì)于大部分凈化工程，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。實(shí)驗(yàn)臺(tái)框架一般采用C型方型鋼，可靠焊接，經(jīng)酸洗磷化、電泳后，實(shí)驗(yàn)臺(tái)表面經(jīng)環(huán)氧樹(shù)脂高壓靜電粉沫噴涂，高溫固化處理。具有良好的防腐性能，緊密強(qiáng)固，承重力強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)室家具實(shí)驗(yàn)室儀器擺放的設(shè)計(jì)是一個(gè)實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)中的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。實(shí)驗(yàn)儀器的擺放看似簡(jiǎn)單，可實(shí)際上需要考慮的因素非常多。實(shí)驗(yàn)儀器是否可以良好安全地運(yùn)行，是否可以妥善地得到保護(hù)，是否可以將環(huán)境對(duì)其的影響度降到最低，相互之間是否有影響，實(shí)驗(yàn)人員是否可以方便地使用等等問(wèn)題，都是在考慮實(shí)驗(yàn)室儀器擺放位置的時(shí)候需要關(guān)注的問(wèn)題。凈化工程對(duì)壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：
1、潔凈度級(jí)別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級(jí)別低的空間的壓力。實(shí)驗(yàn)臺(tái)主要有全鋼結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)、鋼木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)、鋁木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)、全木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)、PP結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)等種類(lèi)，臺(tái)臺(tái)面一般采用環(huán)氧樹(shù)脂板、實(shí)芯理化板、陶瓷板、大理石板、千思板、不銹鋼板等，表面經(jīng)技術(shù)處理，光滑無(wú)毛孔，耐酸堿、防腐蝕，銑邊處理，臺(tái)面耐腐蝕、防水均達(dá)到實(shí)驗(yàn)室行業(yè)優(yōu)質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
2、相通潔凈室之間的門(mén)要開(kāi)向潔凈度級(jí)別高的房間。
3、凈化工程昂當(dāng)中潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。壓力差的維持依靠新風(fēng)量(定義:單位時(shí)間內(nèi)空氣的流通量)，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透（Osmosis))風(fēng)量通過(guò)潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。對(duì)于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋(dilute)作用來(lái)減輕室內(nèi)污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這一概念，而不直接用速度的概念，不過(guò)凈化工程對(duì)室內(nèi)氣流速度也有如下要求：
1、送風(fēng)口出口氣流速度不宜太大，和單純空調(diào)房間相比，要求速度衰減(attenuation)更快，擴(kuò)散角度（angle)更大。
2、吹過(guò)水平面的氣流速度(例如側(cè)送時(shí)回流速度)不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成凈化工程的再污染，這一速度一般不宜大干0。2m/s。
